描述
- ■型号：XH-IFD
- ■XH-IFD 红外探伤仪是一款专为多晶硅片生产环节精心打造的高性能检测仪器。
- ■它在多晶硅片生产的各个关键阶段，如硅块制备、硅棒成型以及硅片切割等过程中，都发挥着至关重要的作用。凭借其先进的探伤技术，能够精准检测出硅块、硅棒和硅片存在的各类缺陷。
- ■该探伤仪具备对多种缺陷的敏锐探测能力。无论是细微的裂缝，这些可能会在后续加工中导致硅片破裂的隐患；还是影响硅片纯度和电学性能的杂质；亦或是在硅片表面或内部形成的黑点、阴影，都逃不过它的 “眼睛”。此外，对于微晶等微观结构缺陷，XH-IFD 红外探伤仪也能准确识别。通过精确检测这些缺陷，有效避免了存在质量问题的产品流入下一道生产工序，降低了废品率，提高了生产效率和产品质量。
- ■XH-IFD 红外探伤仪基于先进的红外检测原理，利用物体不同部位因缺陷存在而导致的热辐射差异，通过高灵敏度的红外探测器捕捉并转化为直观的图像信息。其独特的算法和分析系统能够对获取的红外图像进行深入处理和分析，快速、准确地定位缺陷位置和评估缺陷程度。仪器操作简便，检测速度快，能够满足多晶硅片生产线上大规模、高效率的检测需求，为多晶硅片生产企业提供了可靠的质量保障手段，助力企业在激烈的市场竞争中脱颖而出 。
- ■支持仪表软件定制开发。
规格参数
| 性能参数 | 技术指标 | |
|---|---|---|
| 测试范围 | 材质 | 单晶硅，多晶硅 |
| 厚度 | 最大 260mm | |
| 形状 | 环形，饼型，方形，长条形 | |
| 尺寸 | 100mm - 650mm | |
| 注意事本探测支持单晶硅和多晶硅，对于重掺硅材料（电阻率小于0.5）无法探测项 | ||
| 红外发生装置 | 波长范围 | 1100nm - 1700nm |
| 波段 | 1470λ | |
| 人体影响 | 用专门隔板对光波进行过滤，红外光对人体没有任何伤害 | |
| 软件智能XYZ 平台 | 定位精度 | 2μm |
| 重复定位精度 | 1μm | |
| 检测节拍 | 拍总时长小于60秒 | |
| 测试功能 | 自动测试 | 支持 |
| 手动测试 | 支持 | |
| 使用环境 | 电源 | AC 220V±22V 50Hz±1Hz |
| 运行环境 | 万级超净间 | |
| 环境温度 | 15ºC-30ºC | |
| 相对湿度 | ＜70% | |
